หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
FDS6961A_F011
Product Overview
ผู้ผลิต:
onsemi
หมายเลขชิ้นส่วน:
FDS6961A_F011-DG
คำอธิบาย:
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
รายละเอียด:
Mosfet Array 30V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
สินค้าคงคลัง:
12837280
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
7Ow0
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
FDS6961A_F011 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET, อาร์เรย์ MOSFET
ผู้ผลิต
onsemi
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
PowerTrench®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
การกําหนดค่า
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET
Logic Level Gate
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
30V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
3.5A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
4nC @ 5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
220pF @ 15V
กําลัง - สูงสุด
900mW
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพคเกจ / เคส
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
8-SOIC
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
FDS69
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
4,000
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
IRF9956TRPBF
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
จำนวนที่มีอยู่
297
หมายเลขชิ้นส่วน
IRF9956TRPBF-DG
ราคาต่อหน่วย
0.43
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Direct
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
FDMD82100L
MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
FDS6986AS
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
FDG6301N-F085P
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
