หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
FDP027N08B-F102
Product Overview
ผู้ผลิต:
onsemi
หมายเลขชิ้นส่วน:
FDP027N08B-F102-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
รายละเอียด:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 246W (Tc) Through Hole TO-220-3
สินค้าคงคลัง:
740 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12849985
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
gVVT
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
FDP027N08B-F102 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
onsemi
บรรจุภัณฑ์
Tube
อนุกรม
PowerTrench®
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
80 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
120A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4.5V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
13530 pF @ 40 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
246W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-220-3
แพคเกจ / เคส
TO-220-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
FDP027
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
50
ชื่ออื่น ๆ
FDP027N08B_F102
FDP027N08B_F102-DG
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
Not Applicable
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IPC60N04S4L06ATMA1
MOSFET N-CH 40V 60A TDSON-8-23
AO4459L
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8SO
FDB088N08
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
