หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
FDMC5614P-B8
Product Overview
ผู้ผลิต:
onsemi
หมายเลขชิ้นส่วน:
FDMC5614P-B8-DG
คำอธิบาย:
FET -60V 100.0 MOHM MLP33
รายละเอียด:
P-Channel 60 V 5.7A (Ta), 13.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
สินค้าคงคลัง:
12974607
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
FDMC5614P-B8 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
onsemi
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
PowerTrench®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
P-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
60 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1055 pF @ 30 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
8-WDFN (3.3x3.3)
แพคเกจ / เคส
8-PowerWDFN
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
488-FDMC5614P-B8TR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
NVMFWS2D3P04M8LT1G
MV8 P INITIAL PROGRAM
PJMD990N65EC_L2_00001
650V SUPER JUNCITON MOSFET
PJQ4465AP_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
