FDD86326

หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:

FDD86326

Product Overview

ผู้ผลิต:

onsemi

หมายเลขชิ้นส่วน:

FDD86326-DG

คำอธิบาย:

MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK

รายละเอียด:

N-Channel 80 V 8A (Ta), 37A (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA

สินค้าคงคลัง:

9960 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก

12838548

ขอใบเสนอราคา

จำนวน
ขั้นต่ำ 1

Z1IY

(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง

ส่ง

FDD86326 สเปคทางเทคนิค

หมวดหมู่

FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET

ผู้ผลิต

onsemi

บรรจุภัณฑ์

Tape & Reel (TR)

อนุกรม

PowerTrench®

สถานะผลิตภัณฑ์

Active

ประเภท FET

N-Channel

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)

80 V

กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C

8A (Ta), 37A (Tc)

ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)

6V, 10V

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

23mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (สูงสุด) @ Id

4V @ 250µA

ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

19 nC @ 10 V

Vgs (สูงสุด)

±20V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

1035 pF @ 50 V

คุณสมบัติ FET

-

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

3.1W (Ta), 62W (Tc)

อุณหภูมิ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์

TO-252AA

แพคเกจ / เคส

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน

FDD863

ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร

ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML

เอกสารข้อมูล

เอกสารข้อมูลสินค้า

ข้อมูลเพิ่มเติม

แพ็คเกจมาตรฐาน

2,500

ชื่ออื่น ๆ

FDD86326DKR

FDD86326TR

FDD86326CT

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

สถานะ RoHS

ROHS3 Compliant

ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)

1 (Unlimited)

สถานะ REACH

REACH Unaffected

อีซีเอ็น

EAR99

เอชทีเอสเอส

8541.29.0095

DIGI รับรอง

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

สินค้าเกี่ยวข้อง

onsemi

FCPF190N65FL1

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F

onsemi

FDMS0308CS

MOSFET N-CH 30V 22A 8PQFN

onsemi

FQP1P50

MOSFET P-CH 500V 1.5A TO220-3

onsemi

FQPF3N50C

MOSFET N-CH 500V 3A TO220F