หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
2SD1815T-E
Product Overview
ผู้ผลิต:
onsemi
หมายเลขชิ้นส่วน:
2SD1815T-E-DG
คำอธิบาย:
TRANS NPN 100V 3A TP
รายละเอียด:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 180MHz 1 W Through Hole TP
สินค้าคงคลัง:
12834644
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
1tYz
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
2SD1815T-E สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เดี่ยว
ผู้ผลิต
onsemi
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภททรานซิสเตอร์
NPN
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
3 A
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
100 V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
400mV @ 150mA, 1.5A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
1µA (ICBO)
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 5V
กําลัง - สูงสุด
1 W
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
180MHz
อุณหภูมิ
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพคเกจ / เคส
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TP
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
2SD1815
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
500
ชื่ออื่น ๆ
2156-2SD1815T-E-ON
ONSONS2SD1815T-E
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0075
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
BC635_D75Z
TRANS NPN 45V 1A TO92-3
2N6520RLRA
TRANS PNP 350V 0.5A TO92
2N3906G
TRANS PNP 40V 0.2A TO92
