หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
PDTB113EU,115
Product Overview
ผู้ผลิต:
NXP USA Inc.
หมายเลขชิ้นส่วน:
PDTB113EU,115-DG
คำอธิบาย:
TRANS PREBIAS
รายละเอียด:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 140 MHz 300 mW Surface Mount SC-70
สินค้าคงคลัง:
12947392
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
PDTB113EU,115 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), ทรานซิสเตอร์เบพolar แบบเดียวที่มีการเบียสล่วงหน้า
ผู้ผลิต
NXP Semiconductors
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภททรานซิสเตอร์
NPN - Pre-Biased
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
500 mA
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
50 V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1)
1 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอีมิต (R2)
1 kOhms
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
33 @ 50mA, 5V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
500nA
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
140 MHz
กําลัง - สูงสุด
300 mW
เกรด
Automotive
คุณสมบัติ
AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพคเกจ / เคส
SC-70, SOT-323
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
SC-70
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
8,036
ชื่ออื่น ๆ
NEXNXPPDTB113EU115
2156-PDTB113EU,115
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0075
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
PDTC123TMB,315
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
PDTA144VMB,315
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
PDTA123JMB,315
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
