หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
PSMN8R5-100ESFQ
Product Overview
ผู้ผลิต:
Nexperia USA Inc.
หมายเลขชิ้นส่วน:
PSMN8R5-100ESFQ-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CHANNEL 100V 97A I2PAK
รายละเอียด:
N-Channel 100 V 97A (Ta) 183W (Ta) Through Hole I2PAK
สินค้าคงคลัง:
12829660
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
PSMN8R5-100ESFQ สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Nexperia
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
100 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
97A (Ta)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
7V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 1mA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
3181 pF @ 50 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
183W (Ta)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
I2PAK
แพคเกจ / เคส
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
50
ชื่ออื่น ๆ
2156-PSMN8R5-100ESFQ-1727
934070403127
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
PMH600UNEH
MOSFET N-CH 20V 800MA DFN0606-3
BUK714R1-40BT,118
MOSFET N-CH 40V 75A SOT426
PSMN2R0-60PSRQ
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
