หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
CSD18503KCS
Product Overview
ผู้ผลิต:
National Semiconductor
หมายเลขชิ้นส่วน:
CSD18503KCS-DG
คำอธิบาย:
CSD18503KCS 40V, N CHANNEL NEXFE
รายละเอียด:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3
สินค้าคงคลัง:
740 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12946668
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
CSD18503KCS สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
บรรจุภัณฑ์
Bulk
อนุกรม
NexFET™
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
40 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
100A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.3V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
3150 pF @ 20 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
188W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-220-3
แพคเกจ / เคส
TO-220-3
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
362
ชื่ออื่น ๆ
2156-CSD18503KCS
TEXNSCCSD18503KCS
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
FDMS0355S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
FQPF7N65CYDTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
FDA16N50-F109
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1