หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
JANSR2N7380
Product Overview
ผู้ผลิต:
Microsemi Corporation
หมายเลขชิ้นส่วน:
JANSR2N7380-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 100V 14.4A TO257
รายละเอียด:
N-Channel 100 V 14.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257
สินค้าคงคลัง:
13247091
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
4MQv
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
JANSR2N7380 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Microsemi
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
100 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
14.4A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
12V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
200mOhm @ 14.4A, 12V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 1mA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
40 nC @ 12 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2W (Ta), 75W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด
Military
คุณสมบัติ
MIL-PRF-19500/614
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-257
แพคเกจ / เคส
TO-257-3
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1
ชื่ออื่น ๆ
JANSR2N7380-ND
150-JANSR2N7380
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
Not Applicable
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
APTC60DAM35T1G
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
APT77N60BC6
MOSFET N-CH 600V 77A TO247
APTM100UM45DAG
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
