หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
TP5335MF-G-VAO
Product Overview
ผู้ผลิต:
Microchip Technology
หมายเลขชิ้นส่วน:
TP5335MF-G-VAO-DG
คำอธิบาย:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO
รายละเอียด:
P-Channel 350 V 85mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount 6-DFN (2x2)
สินค้าคงคลัง:
13004384
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
JmSz
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
TP5335MF-G-VAO สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Microchip Technology
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
P-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
350 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
85mA (Tj)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
30Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.4V @ 1mA
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
110 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
360mW (Ta)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด
Automotive
คุณสมบัติ
AEC-Q100
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
6-DFN (2x2)
แพคเกจ / เคส
6-VDFN Exposed Pad
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
TP5335
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
150-TP5335MF-G-VAOTR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
