หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
TC6320K6-G
Product Overview
ผู้ผลิต:
Microchip Technology
หมายเลขชิ้นส่วน:
TC6320K6-G-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N/P-CH 200V 8DFN
รายละเอียด:
Mosfet Array 200V Surface Mount 8-DFN (4x4)
สินค้าคงคลัง:
5313 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12810685
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
TC6320K6-G สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET, อาร์เรย์ MOSFET
ผู้ผลิต
Microchip Technology
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
การกําหนดค่า
N and P-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
200V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
-
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2V @ 1mA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
110pF @ 25V, 125pF @ 25V
กําลัง - สูงสุด
-
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพคเกจ / เคส
8-VDFN Exposed Pad
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
8-DFN (4x4)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
TC6320
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
การประกอบ PCN / ที่มา
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,300
ชื่ออื่น ๆ
TC6320K6-G-DG
TC6320K6-GCT
TC6320K6-GTR
TC6320K6-GDKR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IRF7329TRPBF
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
HCT802TXV
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD
IRF7303PBF
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
