หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IXFT80N10Q
Product Overview
ผู้ผลิต:
IXYS
หมายเลขชิ้นส่วน:
IXFT80N10Q-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 100V 80A TO268
รายละเอียด:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268AA
สินค้าคงคลัง:
12820489
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IXFT80N10Q สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Littelfuse
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
HiPerFET™
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
100 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
80A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
15mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 4mA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
4500 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
360W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-268AA
แพคเกจ / เคส
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
IXFT80
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
30
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
IXTT110N10L2
ผู้ผลิต
IXYS
จำนวนที่มีอยู่
5
หมายเลขชิ้นส่วน
IXTT110N10L2-DG
ราคาต่อหน่วย
13.28
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IXTK62N25
MOSFET N-CH 250V 62A TO264
IXTH12N150
MOSFET N-CH 1500V 12A TO247
IXTP2N80P
MOSFET N-CH 800V 2A TO220AB
