หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IXFQ30N60X
Product Overview
ผู้ผลิต:
IXYS
หมายเลขชิ้นส่วน:
IXFQ30N60X-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
รายละเอียด:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
สินค้าคงคลัง:
12913851
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IXFQ30N60X สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Littelfuse
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
HiPerFET™, Ultra X
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
600 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
30A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
155mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4.5V @ 4mA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2270 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
500W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-3P
แพคเกจ / เคส
TO-3P-3, SC-65-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
IXFQ30
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
30
ชื่ออื่น ๆ
-IXFQ30N60X
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
SI7114ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
SI4122DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
SI7409ADN-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 7A PPAK1212-8
