หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IXFQ120N25X3
Product Overview
ผู้ผลิต:
IXYS
หมายเลขชิ้นส่วน:
IXFQ120N25X3-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P
รายละเอียด:
N-Channel 250 V 120A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-3P
สินค้าคงคลัง:
25 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12821859
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IXFQ120N25X3 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Littelfuse
บรรจุภัณฑ์
Tube
อนุกรม
HiPerFET™, Ultra X3
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
250 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
120A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
12mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4.5V @ 4mA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
7870 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
520W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-3P
แพคเกจ / เคส
TO-3P-3, SC-65-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
IXFQ120
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
30
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IXTI10N60P
MOSFET N-CH 600V 10A TO262
IXTA3N60P
MOSFET N-CH 600V 3A TO263
IXFT13N100
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO268
