หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IXFH60N65X2
Product Overview
ผู้ผลิต:
IXYS
หมายเลขชิ้นส่วน:
IXFH60N65X2-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
รายละเอียด:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
สินค้าคงคลัง:
12820282
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IXFH60N65X2 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Littelfuse
บรรจุภัณฑ์
Tube
อนุกรม
HiPerFET™, Ultra X2
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
650 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
60A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
52mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5.5V @ 4mA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
6180 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
780W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-247 (IXTH)
แพคเกจ / เคส
TO-247-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
IXFH60
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
30
ชื่ออื่น ๆ
IXFH60N65X2X-DG
IXFH60N65X2XINACTIVE
IXFH60N65X2X
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
IPW60R060P7XKSA1
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
จำนวนที่มีอยู่
60
หมายเลขชิ้นส่วน
IPW60R060P7XKSA1-DG
ราคาต่อหน่วย
3.01
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IXTP14N60PM
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
IXFB170N30P
MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
IXFX150N15
MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
