หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IRLB8314PBF
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
IRLB8314PBF-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
รายละเอียด:
N-Channel 30 V 171A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
สินค้าคงคลัง:
808 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12807462
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IRLB8314PBF สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
Tube
อนุกรม
HEXFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
30 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
171A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 68A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.2V @ 100µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
5050 pF @ 15 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
125W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-220-3
แพคเกจ / เคส
TO-220-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
IRLB8314
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
50
ชื่ออื่น ๆ
64-0101PBF-DG
2156-IRLB8314PBF
SP001572766
IRLB8314PBF-DG
64-0101PBF
448-IRLB8314PBF
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IRL3103S
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
SPP02N60S5HKSA1
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO220-3
IRL3716S
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
