หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IRF8327STR1PBF
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
IRF8327STR1PBF-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
รายละเอียด:
N-Channel 30 V 14A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
สินค้าคงคลัง:
12804599
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IRF8327STR1PBF สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
30 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
14A (Ta), 60A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
7.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.4V @ 25µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1430 pF @ 15 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
อุณหภูมิ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
DIRECTFET™ SQ
แพคเกจ / เคส
DirectFET™ Isometric SQ
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1,000
ชื่ออื่น ๆ
IRF8327STR1PBFCT
IRF8327STR1PBFDKR
SP001565762
IRF8327STR1PBF-DG
IRF8327STR1PBFTR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IPZA60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
IRLR2908TRLPBF
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
IPP80R450P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
