หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IRF7469
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
IRF7469-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
รายละเอียด:
N-Channel 40 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
สินค้าคงคลัง:
12805575
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IRF7469 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
HEXFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
40 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
9A (Ta)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
17mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2000 pF @ 20 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.5W (Ta)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
8-SO
แพคเกจ / เคส
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
95
ชื่ออื่น ๆ
*IRF7469
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
RoHS non-compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
RS6G120BGTB1
ผู้ผลิต
Rohm Semiconductor
จำนวนที่มีอยู่
2094
หมายเลขชิ้นส่วน
RS6G120BGTB1-DG
ราคาต่อหน่วย
1.48
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
หมายเลขชิ้นส่วน
RS6G100BGTB1
ผู้ผลิต
Rohm Semiconductor
จำนวนที่มีอยู่
2423
หมายเลขชิ้นส่วน
RS6G100BGTB1-DG
ราคาต่อหน่วย
0.70
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IRFB7534PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
ISP25DP06LMSATMA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
IRF7523D1TRPBF
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
