หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IRF7207PBF
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
IRF7207PBF-DG
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
รายละเอียด:
P-Channel 20 V 5.4A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
สินค้าคงคลัง:
12803289
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IRF7207PBF สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
HEXFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
P-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
20 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
5.4A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
2.7V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)
±12V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
780 pF @ 15 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.5W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
8-SO
แพคเกจ / เคส
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
95
ชื่ออื่น ๆ
SP001574752
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IPP60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
IPD075N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
IPP60R250CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
