หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IRF6775MTR1PBF
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
IRF6775MTR1PBF-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
รายละเอียด:
N-Channel 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
สินค้าคงคลัง:
12803162
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IRF6775MTR1PBF สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
HEXFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
150 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
4.9A (Ta), 28A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
56mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 100µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1411 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
อุณหภูมิ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
DIRECTFET™ MZ
แพคเกจ / เคส
DirectFET™ Isometric MZ
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1,000
ชื่ออื่น ๆ
IRF6775MTR1PBFTR
IRF6775MTR1PBFCT
IRF6775MTR1PBFDKR
SP001551188
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
IRF6775MTRPBF
ผู้ผลิต
International Rectifier
จำนวนที่มีอยู่
597
หมายเลขชิ้นส่วน
IRF6775MTRPBF-DG
ราคาต่อหน่วย
1.13
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Parametric Equivalent
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IPB015N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
IRF9410
MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
IRF7353D1TRPBF
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
