หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IRF6646TR1
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
IRF6646TR1-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
รายละเอียด:
N-Channel 80 V 12A (Ta), 68A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
สินค้าคงคลัง:
12805892
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IRF6646TR1 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
HEXFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
80 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
12A (Ta), 68A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4.9V @ 150µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2060 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
อุณหภูมิ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
DIRECTFET™ MN
แพคเกจ / เคส
DirectFET™ Isometric MN
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1,000
ชื่ออื่น ๆ
SP001576866
IRF6646TR1-DG
IRF6646
IRF6646TR1CT
IRF6646TR1INACTIVE
IRF6646TR1TR
IRF6646-DG
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
RoHS non-compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
2 (1 Year)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
IRF6646TRPBF
ผู้ผลิต
International Rectifier
จำนวนที่มีอยู่
433574
หมายเลขชิ้นส่วน
IRF6646TRPBF-DG
ราคาต่อหน่วย
1.28
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Parametric Equivalent
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IRFI4121H-117P
MOSFET N-CH 100V 11A TO220-5
IRF3000
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8SO
IRF40H210
MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
