หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IRF6645TR1PBF
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
IRF6645TR1PBF-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
รายละเอียด:
N-Channel 100 V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ
สินค้าคงคลัง:
12803893
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IRF6645TR1PBF สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
HEXFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
100 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
5.7A (Ta), 25A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4.9V @ 50µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
890 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
อุณหภูมิ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
DIRECTFET™ SJ
แพคเกจ / เคส
DirectFET™ Isometric SJ
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1,000
ชื่ออื่น ๆ
IRF6645TR1PBFCT
SP001574778
IRF6645TR1PBFDKR
IRF6645TR1PBFTR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
IRF6645TRPBF
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
จำนวนที่มีอยู่
21782
หมายเลขชิ้นส่วน
IRF6645TRPBF-DG
ราคาต่อหน่วย
0.67
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Parametric Equivalent
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IPP126N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
IRF3704STRR
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
IRFP4768PBF
MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC
