หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IRF6609TRPBF
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
IRF6609TRPBF-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
รายละเอียด:
N-Channel 20 V 31A (Ta), 150A (Tc) 1.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
สินค้าคงคลัง:
12804682
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IRF6609TRPBF สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
HEXFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
20 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
31A (Ta), 150A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
2mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.45V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
69 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
6290 pF @ 10 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.8W (Ta), 89W (Tc)
อุณหภูมิ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
DIRECTFET™ MT
แพคเกจ / เคส
DirectFET™ Isometric MT
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
4,800
ชื่ออื่น ๆ
SP001527932
IRF6609TRPBFTR
IRF6609TRPBFDKR
IRF6609TRPBFCT
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
IRF6726MTRPBF
ผู้ผลิต
International Rectifier
จำนวนที่มีอยู่
3965
หมายเลขชิ้นส่วน
IRF6726MTRPBF-DG
ราคาต่อหน่วย
1.37
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IPP80N06S2L06AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRFR120ZTRL
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
IPD60R380P6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3