หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IPW60R180P7XKSA1
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
IPW60R180P7XKSA1-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
รายละเอียด:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
สินค้าคงคลัง:
237 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12806474
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IPW60R180P7XKSA1 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
Tube
อนุกรม
CoolMOS™ P7
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
650 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
18A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 280µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1081 pF @ 400 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
72W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
PG-TO247-3
แพคเกจ / เคส
TO-247-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
IPW60R180
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
30
ชื่ออื่น ๆ
SP001606058
2156-IPW60R180P7XKSA1
INFINFIPW60R180P7XKSA1
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IRF7749L2TR1PBF
MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
IPT65R195G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF
SPB80N08S2-07
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
