หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IPP65R660CFDAAKSA1
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
IPP65R660CFDAAKSA1-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
รายละเอียด:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
สินค้าคงคลัง:
12805071
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IPP65R660CFDAAKSA1 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
CoolMOS™
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
650 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
6A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
660mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4.5V @ 200µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
543 pF @ 100 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
62.5W (Tc)
อุณหภูมิ
-40°C ~ 150°C (TJ)
เกรด
Automotive
คุณสมบัติ
AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
PG-TO220-3
แพคเกจ / เคส
TO-220-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
IPP65R
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
500
ชื่ออื่น ๆ
SP000875802
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
STP12NK80Z
ผู้ผลิต
STMicroelectronics
จำนวนที่มีอยู่
707
หมายเลขชิ้นส่วน
STP12NK80Z-DG
ราคาต่อหน่วย
1.56
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
หมายเลขชิ้นส่วน
STP11N65M2
ผู้ผลิต
STMicroelectronics
จำนวนที่มีอยู่
1996
หมายเลขชิ้นส่วน
STP11N65M2-DG
ราคาต่อหน่วย
0.67
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IRFU4510PBF
MOSFET N-CH 100V 56A IPAK
IRFR3806PBF
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
IRFS3307ZTRLPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
