หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IPP65R050CFD7AAKSA1
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
IPP65R050CFD7AAKSA1-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3
รายละเอียด:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
สินค้าคงคลัง:
12978134
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IPP65R050CFD7AAKSA1 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
Tube
อนุกรม
*
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
650 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
45A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
50mOhm @ 24.8A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4.5V @ 1.24mA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
4975 pF @ 400 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
227W (Tc)
อุณหภูมิ
-40°C ~ 150°C (TJ)
เกรด
Automotive
คุณสมบัติ
AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
PG-TO220-3
แพคเกจ / เคส
TO-220-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
IPP65R050
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
50
ชื่ออื่น ๆ
448-IPP65R050CFD7AAKSA1
SP003793132
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
IPWS65R050CFD7AXKSA1
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
จำนวนที่มีอยู่
81
หมายเลขชิ้นส่วน
IPWS65R050CFD7AXKSA1-DG
ราคาต่อหน่วย
6.44
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Parametric Equivalent
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
BUK7611-55A,118
NOW NEXPERIA BUK7611-55A - 75A,
IPW65R099CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41
AON6104FH
MOSFET N-CH 8DFN 5X6
