หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IPP039N10N5AKSA1
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
IPP039N10N5AKSA1-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
รายละเอียด:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
สินค้าคงคลัง:
12803689
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IPP039N10N5AKSA1 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
Tube
อนุกรม
OptiMOS™
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
100 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
100A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3.8V @ 125µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
7000 pF @ 50 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
188W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
PG-TO220-3-1
แพคเกจ / เคส
TO-220-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
IPP039
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
50
ชื่ออื่น ๆ
SP001602186
IFEINFIPP039N10N5AKSA1
2156-IPP039N10N5AKSA1
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
STP150N10F7
ผู้ผลิต
STMicroelectronics
จำนวนที่มีอยู่
494
หมายเลขชิ้นส่วน
STP150N10F7-DG
ราคาต่อหน่วย
1.23
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
หมายเลขชิ้นส่วน
SUP70040E-GE3
ผู้ผลิต
Vishay Siliconix
จำนวนที่มีอยู่
460
หมายเลขชิ้นส่วน
SUP70040E-GE3-DG
ราคาต่อหน่วย
1.28
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IRFZ24NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
IRF3711
MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
IRFR3504ZTR
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
