หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IPI075N15N3GXKSA1
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
IPI075N15N3GXKSA1-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
รายละเอียด:
N-Channel 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
สินค้าคงคลัง:
498 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12801590
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
6iss
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IPI075N15N3GXKSA1 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
Tube
อนุกรม
OptiMOS™
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
150 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
100A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
8V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 270µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
5470 pF @ 75 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
300W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
PG-TO262-3
แพคเกจ / เคส
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
IPI075
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
50
ชื่ออื่น ๆ
SP000680676
2156-IPI075N15N3GXKSA1
INFINFIPI075N15N3GXKSA1
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IPB04N03LB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
IPD50N06S214ATMA2
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
IPB017N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
