หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IPD034N06N3GATMA1
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
IPD034N06N3GATMA1-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
รายละเอียด:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
สินค้าคงคลัง:
4130 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12801177
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IPD034N06N3GATMA1 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
OptiMOS™
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
60 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
100A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 93µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
11000 pF @ 30 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
167W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
PG-TO252-3
แพคเกจ / เคส
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
IPD034
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
2,500
ชื่ออื่น ๆ
IPD034N06N3 GINTR-DG
SP000451070
IPD034N06N3 GINCT
IPD034N06N3 GINCT-DG
IPD034N06N3 G-DG
IPD034N06N3 GINDKR
IPD034N06N3GATMA1CT
IPD034N06N3 GINDKR-DG
IPD034N06N3GATMA1TR
IPD034N06N3 G
IPD034N06N3G
IPD034N06N3GATMA1DKR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IPB65R190CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3
IPP60R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
IPP16CN10NGHKSA1
MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3
