หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
BSZ123N08NS3GATMA1
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
BSZ123N08NS3GATMA1-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
รายละเอียด:
N-Channel 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
สินค้าคงคลัง:
52793 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12844871
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
BSZ123N08NS3GATMA1 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
OptiMOS™
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
80 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
12.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3.5V @ 33µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1700 pF @ 40 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.1W (Ta), 66W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
PG-TSDSON-8
แพคเกจ / เคส
8-PowerVDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
BSZ123
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
5,000
ชื่ออื่น ๆ
BSZ123N08NS3GINCT-DG
BSZ123N08NS3GATMA1CT
BSZ123N08NS3GINTR-DG
BSZ123N08NS3GXT
BSZ123N08NS3 G
BSZ123N08NS3GINTR
BSZ123N08NS3G
BSZ123N08NS3GATMA1TR
SP000443632
BSZ123N08NS3GINCT
BSZ123N08NS3GATMA1DKR
BSZ123N08NS3GINDKR-DG
BSZ123N08NS3GINDKR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
AO4444
MOSFET N-CH 80V 11A 8SOIC
NTLGF3501NT1G
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
AO4576
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
