หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
BSC109N10NS3GATMA1
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
BSC109N10NS3GATMA1-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
รายละเอียด:
N-Channel 100 V 63A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
สินค้าคงคลัง:
38915 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12799626
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
BSC109N10NS3GATMA1 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
OptiMOS™
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
100 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
63A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
10.9mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3.5V @ 45µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2500 pF @ 50 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
78W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
PG-TDSON-8-1
แพคเกจ / เคส
8-PowerTDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
BSC109
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
5,000
ชื่ออื่น ๆ
BSC109N10NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC109N10NS3 G-DG
BSC109N10NS3 GCT-DG
BSC109N10NS3GATMA1TR
BSC109N10NS3 G
SP000778132
BSC109N10NS3 GDKR
BSC109N10NS3 GDKR-DG
BSC109N10NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC109N10NS3G
BSC109N10NS3 GCT
BSC109N10NS3GATMA1CT
BSC109N10NS3GATMA1DKR
BSC109N10NS3GXT
BSC109N10NS3 GTR-DG
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
BSC060P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
BSZ042N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
