หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
BSC0909NSATMA1
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
BSC0909NSATMA1-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
รายละเอียด:
N-Channel 34 V 12A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
สินค้าคงคลัง:
12940 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12831583
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
BSC0909NSATMA1 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
OptiMOS™
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
34 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
12A (Ta), 44A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
9.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1110 pF @ 15 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.5W (Ta), 27W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
PG-TDSON-8-5
แพคเกจ / เคส
8-PowerTDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
BSC0909
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
5,000
ชื่ออื่น ๆ
BSC0909NSCT
BSC0909NS
BSC0909NSDKR
BSC0909NSATMA1DKR-DGTR-DG
BSC0909NSATMA1DKR
BSC0909NSCT-DG
BSC0909NSDKR-DG
BSC0909NSTR-DG
IFEINFBSC0909NSATMA1
BSC0909NSATMA1TR
SP000832576
BSC0909NSATMA1CT
BSC0909NSTR
BSC0909NSATMA1CT-DGTR-DG
2156-BSC0909NSATMA1
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
PMN16XNEX
MOSFET N-CH 20V 6.9A 6TSOP
AUIRFS8408-7TRR
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
PSMN030-150B,118
MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
