หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
GT090N06D52
Product Overview
ผู้ผลิต:
Goford Semiconductor
หมายเลขชิ้นส่วน:
GT090N06D52-DG
คำอธิบาย:
MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
รายละเอียด:
Mosfet Array 60V 40A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount 8-PowerTDFN
สินค้าคงคลัง:
4289 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
13000983
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
GT090N06D52 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET, อาร์เรย์ MOSFET
ผู้ผลิต
Goford Semiconductor
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
SGT
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
การกําหนดค่า
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET
Standard
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
60V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
14mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
24nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1011pF @ 30V
กําลัง - สูงสุด
62W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพคเกจ / เคส
8-DFN (4.9x5.75)
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
8-PowerTDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
GT090N06
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
5,000
ชื่ออื่น ๆ
3141-GT090N06D52CT
3141-GT090N06D52TR
4822-GT090N06D52TR
3141-GT090N06D52DKR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
3 (168 Hours)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
MMFTN620KDW
MOSFET SOT363 N+N 60V 0.35A 2OHM
AONY36302
MOSFET 2N-CH 30V 20A/51A 8DFN
PJQ5948V-AU_R2_002A1
MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
