หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
2N5598
Product Overview
ผู้ผลิต:
General Semiconductor
หมายเลขชิ้นส่วน:
2N5598-DG
คำอธิบาย:
LOW FREQUENCY SILICON POWER NPN
รายละเอียด:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 2 A 20 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
สินค้าคงคลัง:
18 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12947073
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
2N5598 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เดี่ยว
ผู้ผลิต
General Semiconductor (Vishay)
บรรจุภัณฑ์
Bulk
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภททรานซิสเตอร์
PNP
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
2 A
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
60 V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
850mV @ 200µA, 1mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
-
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
-
กําลัง - สูงสุด
20 W
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
-
อุณหภูมิ
-65°C ~ 200°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพคเกจ / เคส
TO-213AA, TO-66-2
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-66 (TO-213AA)
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
8
ชื่ออื่น ๆ
2156-2N5598
GSIGSI2N5598
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0075
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
