หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
FQP12N60C
Product Overview
ผู้ผลิต:
Fairchild Semiconductor
หมายเลขชิ้นส่วน:
FQP12N60C-DG
คำอธิบาย:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
รายละเอียด:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220-3
สินค้าคงคลัง:
4340 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12946769
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
UJX6
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
FQP12N60C สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
บรรจุภัณฑ์
Bulk
อนุกรม
QFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
600 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
12A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2290 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
225W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-220-3
แพคเกจ / เคส
TO-220-3
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
166
ชื่ออื่น ๆ
FAIFSCFQP12N60C
2156-FQP12N60C
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8542.39.0001
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IRF2805PBF
IRF2805 - 12V-300V N-CHANNEL POW
FQI5N60CTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
FQP3P20
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
