FDG316P
หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:

FDG316P

Product Overview

ผู้ผลิต:

Fairchild Semiconductor

หมายเลขชิ้นส่วน:

FDG316P-DG

คำอธิบาย:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
รายละเอียด:
P-Channel 30 V 1.6A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

สินค้าคงคลัง:

5479 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12946821
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง

FDG316P สเปคทางเทคนิค

หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
บรรจุภัณฑ์
Bulk
อนุกรม
PowerTrench®
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
P-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
30 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
190mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
165 pF @ 15 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
750mW (Ta)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
SC-88 (SC-70-6)
แพคเกจ / เคส
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร

เอกสารข้อมูลสินค้า

ข้อมูลเพิ่มเติม

แพ็คเกจมาตรฐาน
1,466
ชื่ออื่น ๆ
2156-FDG316P
FAIFSCFDG316P

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8542.39.0001
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
fairchild-semiconductor

FQU8P10TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FDMC7672

MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP

fairchild-semiconductor

FQU5N40TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDMC8854

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1