บ้าน
สินค้า
ผู้ผลิต
เกี่ยวกับ DiGi
ติดต่อเรา
บล็อกและโพสต์
ขอราคา/ใบเสนอราคา
Thailand
เข้าสู่ระบบ
เลือกภาษา
ภาษาปัจจุบันที่คุณเลือก
Thailand
สวิทช์:
ปุ่ม
ยุโรป
สหราชอาณาจักร
ดีอาร์คองโก
อาร์เจนติน่า
ตุรกี
โรมาเนีย
ลิธัวเนีย
นอร์เวย์
ออสเตรีย
แองโกลา
สโลวาเกีย
ltaly
ฟินแลนด์
เบลารุส
บัลแกเรีย
เดนมาร์ก
เอสโทเนีย
โปแลนด์
ยูเครน
สโลวีเนีย
เชก
กรีก
โครเอเชีย
อิสราเอล
มอนเตเนโกร
รัสเซีย
เบลเยียม
สวีเดน
เซอร์เบียแอนด์มอนเทเนโกร
บาส์ก
ไอซ์แลนด์
บอสเนีย
ฮังการี
มอลโดวา
เยอรมนี
เนเธอร์แลนด์
ไอร์แลนด์
เอเชีย / แปซิฟิก
จีน
เวียดนาม
อินโดนีเซีย
ไทย
ลาว
ฟิลิปปินส์
มาเลเซีย
เกาหลี
ญี่ปุ่น
ฮ่องกง
ไต้หวัน
สิงคโปร์
ปากีสถาน
ซาอุดิอาระเบีย
กาตาร์
คูเวต
กัมพูชา
พม่า
แอฟริกาอินเดียและตะวันออกกลาง
สหรัฐอาหรับเอมิเรตส์
ทาจิกิสถาน
มาดากัสการ์
อินเดีย
อิหร่าน
ฝรั่งเศส
แอฟริกาใต้
อียิปต์
เคนย่า
แทนซาเนีย
กานา
เซเนกัล
โมร็อคโค
ตูนิเซีย
อเมริกาใต้ / โอเชียเนีย
นิวซีแลนด์
โปรตุเกส
บราซิล
โมซัมบิก
เปรู
โคลัมเบีย
ชิลี
เวเนซุเอลา
เอกวาดอร์
โบลิเวีย
อุรุกวัย
สเปน
ปารากวัย
ออสเตรเลีย
อเมริกาเหนือ
สหรัฐอเมริกา
เฮติ
แคนาดา
คอสตาริก้า
เม็กซิโก
เกี่ยวกับ DiGi
เกี่ยวกับเรา
เกี่ยวกับเรา
การรับรองของเรา
DiGi แนะนำ
ทำไม DiGi
นโยบาย
นโยบายคุณภาพ
ข้อกำหนดการใช้งาน
การปฏิบัติตาม RoHS
กระบวนการคืนสินค้า
ทรัพยากร
หมวดหมู่สินค้า
ผู้ผลิต
บล็อกและโพสต์
บริการ
การรับประกันคุณภาพ
วิธีการชำระเงิน
การจัดส่งทั่วโลก
อัตราค่าขนส่ง
คำถามที่พบบ่อย
หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
FDFMA2P859T
Product Overview
ผู้ผลิต:
Fairchild Semiconductor
หมายเลขชิ้นส่วน:
FDFMA2P859T-DG
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
รายละเอียด:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFET 2x2 Thin
สินค้าคงคลัง:
14392 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12901666
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
*
บริษัท
*
ชื่อผู้ติดต่อ
*
โทรศัพท์
*
อีเมล
ที่อยู่ในการจัดส่ง
ข้อความ
(
*
) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
FDFMA2P859T สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
บรรจุภัณฑ์
Bulk
อนุกรม
PowerTrench®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
P-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
20 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
3A (Ta)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
1.8V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
1.3V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)
±8V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
435 pF @ 10 V
คุณสมบัติ FET
Schottky Diode (Isolated)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.4W (Ta)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
MicroFET 2x2 Thin
แพคเกจ / เคส
6-UDFN Exposed Pad
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
FDFMA2P859T
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1,110
ชื่ออื่น ๆ
2156-FDFMA2P859T-FSTR
FAIFSCFDFMA2P859T
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
DMN62D0LFB-7
MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
DMP2033UVT-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
DMP2123LQ-13
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
DMTH8012LPSQ-13
MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060