หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
FDD8796
Product Overview
ผู้ผลิต:
Fairchild Semiconductor
หมายเลขชิ้นส่วน:
FDD8796-DG
คำอธิบาย:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
รายละเอียด:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
สินค้าคงคลัง:
25932 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12946987
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
FDD8796 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
บรรจุภัณฑ์
Bulk
อนุกรม
PowerTrench®
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
25 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
35A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2610 pF @ 13 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
88W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-252 (DPAK)
แพคเกจ / เคส
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
809
ชื่ออื่น ๆ
2156-FDD8796
ONSONSFDD8796
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
FDD8880_F054
1-ELEMENT, N-CHANNEL POWER MOSFE
FDP8880
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FCPF260N60E
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
