หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
2SA1319S-AA
Product Overview
ผู้ผลิต:
Fairchild Semiconductor
หมายเลขชิ้นส่วน:
2SA1319S-AA-DG
คำอธิบาย:
2SA1319 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
รายละเอียด:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 700 mA 120MHz 700 mW Through Hole 3-NP
สินค้าคงคลัง:
3000 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12996844
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
kNta
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
2SA1319S-AA สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เดี่ยว
ผู้ผลิต
บรรจุภัณฑ์
Bulk
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภททรานซิสเตอร์
PNP
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
700 mA
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
160 V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
500mV @ 25mA, 250mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
100nA (ICBO)
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 5V
กําลัง - สูงสุด
700 mW
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
120MHz
อุณหภูมิ
150°C (TJ)
เกรด
-
คุณสมบัติ
-
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพคเกจ / เคส
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
3-NP
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1
ชื่ออื่น ๆ
2156-2SA1319S-AA-600039
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
Vendor Undefined
สถานะ REACH
REACH Unaffected
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
MMST5087T146
TRANS GP BJT PNP 50V 0.2A 3-PIN
2N3904H
2N3904 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TR
KSE800STU
TRANS NPN DARL 60V 4A TO126-3
