หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
FBG10N30BC
Product Overview
ผู้ผลิต:
EPC Space, LLC
หมายเลขชิ้นส่วน:
FBG10N30BC-DG
คำอธิบาย:
GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
รายละเอียด:
N-Channel 100 V 30A (Tc) Surface Mount 4-SMD
สินค้าคงคลัง:
170 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12997488
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
FBG10N30BC สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
EPC Space
บรรจุภัณฑ์
Bulk
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
GaNFET (Gallium Nitride)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
100 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
30A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 5mA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)
+6V, -4V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1000 pF @ 50 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
-
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
4-SMD
แพคเกจ / เคส
4-SMD, No Lead
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
154
ชื่ออื่น ๆ
4107-FBG10N30BC
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
Not Applicable
อีซีเอ็น
9A515E1
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
FDC638P-P
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
2N7002HWX
2N7002HW/SOT323/SC-70
CMS23P04D-HF
MOSFET P-CH 40V 23A DPAK
