FBG04N30BC
หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:

FBG04N30BC

Product Overview

ผู้ผลิต:

EPC Space, LLC

หมายเลขชิ้นส่วน:

FBG04N30BC-DG

คำอธิบาย:

GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
รายละเอียด:
N-Channel 40 V 30A (Tc) Surface Mount 4-SMD

สินค้าคงคลัง:

161 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12997406
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง

FBG04N30BC สเปคทางเทคนิค

หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
EPC Space
บรรจุภัณฑ์
Bulk
อนุกรม
FSMD-B
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
GaNFET (Gallium Nitride)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
40 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
30A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 9mA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
11.4 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)
+6V, -4V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1300 pF @ 20 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
-
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
4-SMD
แพคเกจ / เคส
4-SMD, No Lead

ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร

ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า

ข้อมูลเพิ่มเติม

แพ็คเกจมาตรฐาน
154
ชื่ออื่น ๆ
4107-FBG04N30BC

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
Not Applicable
อีซีเอ็น
9A515E1
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
goford-semiconductor

25P06

MOSFET P-CH 60V 25A TO-252

vishay-siliconix

SQA600CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

onsemi

FDD6685-G

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6

rohm-semi

RF4G100BGTCR

NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M