หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
ZXMN10A08E6TC
Product Overview
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
หมายเลขชิ้นส่วน:
ZXMN10A08E6TC-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
รายละเอียด:
N-Channel 100 V 1.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
สินค้าคงคลัง:
12903167
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
ZXMN10A08E6TC สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Diodes Incorporated
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
100 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
250mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
405 pF @ 50 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.1W (Ta)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
SOT-26
แพคเกจ / เคส
SOT-23-6
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
ZXMN10
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
10,000
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
ZXMN10A08E6QTA
ผู้ผลิต
Diodes Incorporated
จำนวนที่มีอยู่
0
หมายเลขชิ้นส่วน
ZXMN10A08E6QTA-DG
ราคาต่อหน่วย
0.29
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Parametric Equivalent
หมายเลขชิ้นส่วน
SI3442BDV-T1-E3
ผู้ผลิต
Vishay Siliconix
จำนวนที่มีอยู่
26929
หมายเลขชิ้นส่วน
SI3442BDV-T1-E3-DG
ราคาต่อหน่วย
0.17
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
หมายเลขชิ้นส่วน
ZXMN10A08E6TA
ผู้ผลิต
Diodes Incorporated
จำนวนที่มีอยู่
33748
หมายเลขชิ้นส่วน
ZXMN10A08E6TA-DG
ราคาต่อหน่วย
0.17
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Parametric Equivalent
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IXTA240N055T7
MOSFET N-CH 55V 240A TO263-7
BS250FTC
MOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3
DMP31D7LW-13
MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323