หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
DMT3009LDT-7
Product Overview
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
หมายเลขชิ้นส่วน:
DMT3009LDT-7-DG
คำอธิบาย:
MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN
รายละเอียด:
Mosfet Array 30V 30A 1.2W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)
สินค้าคงคลัง:
1854 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12894999
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
0Aqn
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
DMT3009LDT-7 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET, อาร์เรย์ MOSFET
ผู้ผลิต
Diodes Incorporated
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
การกําหนดค่า
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
คุณสมบัติ FET
-
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
30V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
30A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
11.1mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
20nC @ 15V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1500pF @ 15V
กําลัง - สูงสุด
1.2W
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพคเกจ / เคส
8-VDFN Exposed Pad
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
V-DFN3030-8 (Type K)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
DMT3009
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
DMT3009LDT-7-DG
DMT3009LDT-7DIDKR
DMT3009LDT-7DICT
DMT3009LDT-7DITR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
DMT47M2LDV-7
MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
DMT10H017LPD-13
MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
DMNH6065SPDWQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
