หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
DMN95H8D5HCT
Product Overview
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
หมายเลขชิ้นส่วน:
DMN95H8D5HCT-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
รายละเอียด:
N-Channel 950 V 2.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
สินค้าคงคลัง:
12949375
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
Sn3j
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
DMN95H8D5HCT สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Diodes Incorporated
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
950 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
470 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
125W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-220AB (Type TH)
แพคเกจ / เคส
TO-220-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
DMN95
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
50
ชื่ออื่น ๆ
DMN95H8D5HCT-DG
DMN95H8D5HCTDI
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
Not Applicable
สถานะ REACH
REACH Affected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
IXTP2N100
ผู้ผลิต
IXYS
จำนวนที่มีอยู่
0
หมายเลขชิ้นส่วน
IXTP2N100-DG
ราคาต่อหน่วย
3.24
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
หมายเลขชิ้นส่วน
IXTP2R4N120P
ผู้ผลิต
IXYS
จำนวนที่มีอยู่
14
หมายเลขชิ้นส่วน
IXTP2R4N120P-DG
ราคาต่อหน่วย
3.25
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
หมายเลขชิ้นส่วน
IXTP2N100P
ผู้ผลิต
IXYS
จำนวนที่มีอยู่
136
หมายเลขชิ้นส่วน
IXTP2N100P-DG
ราคาต่อหน่วย
1.49
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
DMN6040SFDE-7
MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
DMNH4006SK3Q-13
MOSFET N-CH 40V 20A/140A TO252
DMN2041L-7
MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23-3
