หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
DMN65D8LDW-7
Product Overview
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
หมายเลขชิ้นส่วน:
DMN65D8LDW-7-DG
คำอธิบาย:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
รายละเอียด:
Mosfet Array 60V 180mA 300mW Surface Mount SOT-363
สินค้าคงคลัง:
34033 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12888929
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
DMN65D8LDW-7 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET, อาร์เรย์ MOSFET
ผู้ผลิต
Diodes Incorporated
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
การกําหนดค่า
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET
Logic Level Gate
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
60V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
180mA
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
6Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
0.87nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
22pF @ 25V
กําลัง - สูงสุด
300mW
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพคเกจ / เคส
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
SOT-363
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
DMN65
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
DMN65D8LDW-7DIDKR
DMN65D8LDW-7DITR
DMN65D8LDW-7DICT
DMN65D8LDW7
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
DMT47M2LDVQ-13
MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
BSS84DW-7
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
DMP2101UCB9-7
MOSFET 2P-CH 20V 9UWLB
