หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
DMN2014LHAB-7
Product Overview
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
หมายเลขชิ้นส่วน:
DMN2014LHAB-7-DG
คำอธิบาย:
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
รายละเอียด:
Mosfet Array 20V 9A 800mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
สินค้าคงคลัง:
2886 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12888156
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
zoVS
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
DMN2014LHAB-7 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET, อาร์เรย์ MOSFET
ผู้ผลิต
Diodes Incorporated
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
การกําหนดค่า
2 N-Channel (Dual) Common Drain
คุณสมบัติ FET
Logic Level Gate
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
20V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
9A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
13mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
1.1V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
16nC @ 4.5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1550pF @ 10V
กําลัง - สูงสุด
800mW
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพคเกจ / เคส
6-UFDFN Exposed Pad
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
U-DFN2030-6 (Type B)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
DMN2014
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
DMN2014LHAB-7DICT
DMN2014LHAB-7DITR
DMN2014LHAB-7DIDKR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
DMN3055LFDB-7
MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN
DMP1046UFDB-13
MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
DMPH6050SPDQ-13
MOSFET 2P-CH 26A POWERDI50
