บ้าน
สินค้า
ผู้ผลิต
เกี่ยวกับ DiGi
ติดต่อเรา
บล็อกและโพสต์
ขอราคา/ใบเสนอราคา
Thailand
เข้าสู่ระบบ
เลือกภาษา
ภาษาปัจจุบันที่คุณเลือก
Thailand
สวิทช์:
ปุ่ม
ยุโรป
สหราชอาณาจักร
ฝรั่งเศส
สเปน
ตุรกี
มอลโดวา
ลิธัวเนีย
นอร์เวย์
เยอรมนี
โปรตุเกส
สโลวาเกีย
ltaly
ฟินแลนด์
รัสเซีย
บัลแกเรีย
เดนมาร์ก
เอสโทเนีย
โปแลนด์
ยูเครน
สโลวีเนีย
เชก
กรีก
โครเอเชีย
อิสราเอล
เซอร์เบียแอนด์มอนเทเนโกร
เบลารุส
เนเธอร์แลนด์
สวีเดน
มอนเตเนโกร
บาส์ก
ไอซ์แลนด์
บอสเนีย
ฮังการี
โรมาเนีย
ออสเตรีย
เบลเยียม
ไอร์แลนด์
เอเชีย / แปซิฟิก
จีน
เวียดนาม
อินโดนีเซีย
ไทย
ลาว
ฟิลิปปินส์
มาเลเซีย
เกาหลี
ญี่ปุ่น
ฮ่องกง
ไต้หวัน
สิงคโปร์
ปากีสถาน
ซาอุดิอาระเบีย
กาตาร์
คูเวต
กัมพูชา
พม่า
แอฟริกาอินเดียและตะวันออกกลาง
สหรัฐอาหรับเอมิเรตส์
ทาจิกิสถาน
มาดากัสการ์
อินเดีย
อิหร่าน
ดีอาร์คองโก
แอฟริกาใต้
อียิปต์
เคนย่า
แทนซาเนีย
กานา
เซเนกัล
โมร็อคโค
ตูนิเซีย
อเมริกาใต้ / โอเชียเนีย
นิวซีแลนด์
แองโกลา
บราซิล
โมซัมบิก
เปรู
โคลัมเบีย
ชิลี
เวเนซุเอลา
เอกวาดอร์
โบลิเวีย
อุรุกวัย
อาร์เจนติน่า
ปารากวัย
ออสเตรเลีย
อเมริกาเหนือ
สหรัฐอเมริกา
เฮติ
แคนาดา
คอสตาริก้า
เม็กซิโก
เกี่ยวกับ DiGi
เกี่ยวกับเรา
เกี่ยวกับเรา
การรับรองของเรา
DiGi แนะนำ
ทำไม DiGi
นโยบาย
นโยบายคุณภาพ
ข้อกำหนดการใช้งาน
การปฏิบัติตาม RoHS
กระบวนการคืนสินค้า
ทรัพยากร
หมวดหมู่สินค้า
ผู้ผลิต
บล็อกและโพสต์
บริการ
การรับประกันคุณภาพ
วิธีการชำระเงิน
การจัดส่งทั่วโลก
อัตราค่าขนส่ง
คำถามที่พบบ่อย
หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
DMN2005UFGQ-13
Product Overview
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
หมายเลขชิ้นส่วน:
DMN2005UFGQ-13-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
รายละเอียด:
N-Channel 20 V 18A (Ta), 50A (Tc) 1.05W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
สินค้าคงคลัง:
RFQ ออนไลน์
12888585
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
*
บริษัท
*
ชื่อผู้ติดต่อ
*
โทรศัพท์
*
อีเมล
ที่อยู่ในการจัดส่ง
ข้อความ
Z
M
C
9
(
*
) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
DMN2005UFGQ-13 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Diodes Incorporated
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
20 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
18A (Ta), 50A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
2.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
1.2V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±12V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
6495 pF @ 10 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.05W (Ta)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด
Automotive
คุณสมบัติ
AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
PowerDI3333-8
แพคเกจ / เคส
8-PowerVDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
DMN2005
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
DMN2005UFGQ-13-DG
เอกสารข้อมูล
DMN2005UFGQ-13
เอกสารข้อมูลสินค้า
DMN2005UFGQ
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
DMN2005UFGQ-13DI
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
DMN2005UFGQ-7
ผู้ผลิต
Diodes Incorporated
จำนวนที่มีอยู่
0
หมายเลขชิ้นส่วน
DMN2005UFGQ-7-DG
ราคาต่อหน่วย
0.32
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Parametric Equivalent
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
DMN62D0UT-13
MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
DMTH43M8LFGQ-7
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
DMT3003LFGQ-13
MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
DMP2066LVT-13
MOSFET P-CH 20V 4.5A TSOT26