หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
DMN10H170SVT-13
Product Overview
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
หมายเลขชิ้นส่วน:
DMN10H170SVT-13-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
รายละเอียด:
N-Channel 100 V 2.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
สินค้าคงคลัง:
12887637
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
Tkwk
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
DMN10H170SVT-13 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Diodes Incorporated
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
100 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
160mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1167 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.2W (Ta)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TSOT-26
แพคเกจ / เคส
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
DMN10
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
10,000
ชื่ออื่น ๆ
DMN10H170SVT-13DI
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
DMN10H170SVT-7
ผู้ผลิต
Diodes Incorporated
จำนวนที่มีอยู่
5799
หมายเลขชิ้นส่วน
DMN10H170SVT-7-DG
ราคาต่อหน่วย
0.14
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Parametric Equivalent
หมายเลขชิ้นส่วน
DMN10H170SVTQ-7
ผู้ผลิต
Diodes Incorporated
จำนวนที่มีอยู่
607
หมายเลขชิ้นส่วน
DMN10H170SVTQ-7-DG
ราคาต่อหน่วย
0.16
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Parametric Equivalent
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
ZVN0545ASTZ
MOSFET N-CH 450V 90MA E-LINE
DMN24H11DSQ-7
MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
DMN4035L-7
MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
