หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
BSS138
Product Overview
ผู้ผลิต:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
หมายเลขชิ้นส่วน:
BSS138-DG
คำอธิบาย:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
รายละเอียด:
N-Channel 50 V 220mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
สินค้าคงคลัง:
187251 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12989063
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
BSS138 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Anbon Semiconductor
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
50 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
220mA (Ta)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
1.6V @ 250µA
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
27 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
350mW (Ta)
อุณหภูมิ
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
SOT-23
แพคเกจ / เคส
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
4530-BSS138TR
4530-BSS138CT
4530-BSS138DKR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IMT65R057M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IMT65R107M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
DMN3030LFG-13
DMN3030LFG-13
